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FDS89161
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS89161  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET, Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。


欧时:
### PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS89161  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R


富昌:
Dual N-Channel 100 V 2.7 A 105 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC


FDS89161中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.086 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 1.3 ns

输入电容Ciss 210pF @50VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 1.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDS89161引脚图与封装图
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FDS89161 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS89161  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 100 V, 0.086 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存