FQD10N20LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD10N20LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 7.60 A
通道数 1
漏源极电阻 290 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 830pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 51W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD10N20LTM引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD10N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |