FDW2508P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDW2508P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -6.00 A
针脚数 8
漏源极电阻 18 mΩ
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 2644pF @6VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDW2508P引脚图与封装图
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在线购买FDW2508P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDW2508P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDW2508P... 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6 A, -12 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV | 搜索库存 |
替代型号FDW2508P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDW2508P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TSSOP P-Channel -12V 6A 14mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDW2508P... 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -6 A, -12 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV | 当前型号 |
| 型号： FDW2508P_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Dual P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | FDW2508P和FDW2508P_NL的区别 |