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FJB102TM
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB102TM  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

The is a NPN high voltage power Darlington Transistor offers low collector-emitter saturation voltage.

.
High DC current gain 1000 hFE @ 4V VCE, 3A minimum IC

贸泽:
达林顿晶体管 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB102TM.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D2-PAK


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
NPN 80 W 100 V 8 A 表面贴装 功率 达林顿晶体管 - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; TO263-3


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB102TM  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PWR DARL HV D2PAK


FJB102TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.00 A

额定功率 80 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 80 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 4V

额定功率Max 80 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 80000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FJB102TM引脚图与封装图
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在线购买FJB102TM
型号 制造商 描述 购买
FJB102TM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB102TM  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号FJB102TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJB102TM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-263-3 NPN 100V 8A 80000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB102TM  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE

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