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FQP17P10

FQP17P10

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP17P10  晶体管, MOSFET, P沟道, 16.5 A, -100 V, 190 mohm, -10 V, -4 V

The is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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30nC Typical low gate charge
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100pF Typical low Crss
FQP17P10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -16.5 A

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids -16.5 A

上升时间 200 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP17P10引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQP17P10 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP17P10  晶体管, MOSFET, P沟道, 16.5 A, -100 V, 190 mohm, -10 V, -4 V 搜索库存