FDS8447
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8447中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 12.8 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 mW
阈值电压 1.8 V
输入电容 2.60 nF
栅电荷 49.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.8 A
输入电容Ciss 2600pF @20VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8447引脚图与封装图
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在线购买FDS8447
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8447 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8447 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8447
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8447 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 12.8A 10.5ohms 2.6nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8447 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 |
| 型号： AO4484 品牌： 万代半导体 封装： SOIC N-CH 40V 10A | 功能相似 | N沟道 40V 10A | FDS8447和AO4484的区别 |
| 型号： PHK12NQ10T,518 品牌： 恩智浦 封装： SO N-Channel 100V 11.6A | 功能相似 | SO N-CH 100V 11.6A | FDS8447和PHK12NQ10T,518的区别 |