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FJB3307DTM

FJB3307DTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB3307DTM  晶体管, NPN, 400V, 8A, D2PAK

Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 8 A - 1.72 W Surface Mount D²PAK


欧时:
### 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


得捷:
TRANS NPN 400V 8A D2PAK


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB3307DTM  晶体管, NPN, 400V, 8A, D2PAK


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB3307DTM  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 1.72 W, 8 A, 40 hFE


DeviceMart:
TRANS NPN FAST SW HV D2PAK


FJB3307DTM中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

极性 NPN

耗散功率 1.72 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V

额定功率Max 1.72 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

FJB3307DTM引脚图与封装图
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