FJP2145TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJP2145TU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 120 W
击穿电压集电极-发射极 800 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 20 @200mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 120 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FJP2145TU引脚图与封装图 
FJP2145TU引脚图
FJP2145TU封装焊盘图
在线购买FJP2145TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJP2145TU | Fairchild 飞兆/仙童 | ESBC™ 功率晶体管，Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™（发射器开关双极/MOSFET 共源栅极）以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容，因此提升了效率、灵活性和稳健性，并且最大限度地降低了驱动功率。 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |