FQB7N20LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB7N20LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 750 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 63W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB7N20LTM引脚图与封装图
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在线购买FQB7N20LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB7N20LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 6.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB7N20LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB7N20LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 200V 6.5A 750mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 6.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQB7N20L 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | FQB7N20LTM和FQB7N20L的区别 |