额定电压DC 60.0 V
额定电流 20.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 53 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 590pF @25VVds
额定功率Max 53 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 53 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQP20N06 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP20N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQP20N06 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 60V 20A 60mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP20N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.048 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: STP16NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 16A 70mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP16NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220 | FQP20N06和STP16NF06L的区别 | |
型号: STP16NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 16A 100mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQP20N06和STP16NF06的区别 | |
型号: STP36NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 30A 32mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V | FQP20N06和STP36NF06L的区别 |