FDS8882
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8882中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0132 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 940pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
宽度 4 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDS8882引脚图与封装图
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在线购买FDS8882
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8882 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8882 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8882
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8882 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 9A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8882 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6614A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 9.3A 18mohms 1.16nF | 类似代替 | N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | FDS8882和FDS6614A的区别 |