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FDMC3612
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is an N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC3612  MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.092OHM, 16A, MLP-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin MLP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin MLP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC3612  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 100 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 8-MLP


FDMC3612中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 3.3A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 880pF @50VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMC3612引脚图与封装图
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FDMC3612 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存