FDS4435BZ_F085
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4435BZ_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8.8A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1845pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDS4435BZ_F085引脚图与封装图
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在线购买FDS4435BZ_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4435BZ_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDS4435BZ_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4435BZ_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO-8 P-CH 30V 8.8A | 当前型号 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDS4435A 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.7 V | FDS4435BZ_F085和FDS4435A的区别 |
| 型号： SI4403CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A ID, 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8 | FDS4435BZ_F085和SI4403CDY-T1-GE3的区别 |