FDMB2307NZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
额定电流 9.7 A
通道数 2
漏源极电阻 16.5 mΩ
耗散功率 2.2 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1760pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.2 W
额定电压 20 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 3 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMB2307NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |