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FDMB2307NZ

FDMB2307NZ

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDMB2307NZ中文资料参数规格
技术参数

额定电流 9.7 A

通道数 2

漏源极电阻 16.5 mΩ

耗散功率 2.2 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1760pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.2 W

额定电压 20 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 3 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17

FDMB2307NZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMB2307NZ Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存