FDS6898AZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6898AZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 9.40 A
针脚数 8
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1 V
输入电容 1.82 nF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 1821pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6898AZ引脚图与封装图
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在线购买FDS6898AZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6898AZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898AZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6898AZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6898AZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 9.4A 14mohms 1.82nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898AZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6898AZ_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SOIC N-CH 20V 9.4A | FDS6898AZ和FDS6898AZ_NL的区别 |