FQPF10N50CF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF10N50CF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
漏源极电阻 610 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 48 W
输入电容 2.10 nF
栅电荷 56.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2096pF @25VVds
额定功率Max 48 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 15.87 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF10N50CF引脚图与封装图
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在线购买FQPF10N50CF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQPF10N50CF | Fairchild 飞兆/仙童 | 500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability | 搜索库存 |
替代型号FQPF10N50CF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF10N50CF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO220F N-Channel 500V 10A 610mohms 2.1nF | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET改进dv / dt能力 500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability | 当前型号 |
| 型号： STP11NK50ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 10A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V | FQPF10N50CF和STP11NK50ZFP的区别 |