FDD770N15A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD770N15A中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 61 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 56.8 W
阈值电压 2V ~ 4V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 3.1 ns
输入电容Ciss 765pF @75VVds
额定功率Max 56.8 W
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56.8W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD770N15A引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD770N15A | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |