FDD5680
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD5680中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 38.0 A
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 2.4 V
输入电容 1.83 nF
栅电荷 33.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.50 A
上升时间 9.00 ns
输入电容Ciss 1835pF @30VVds
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD5680引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDD5680
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD5680 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道， PowerTrench MOSFET N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD5680
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD5680 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 8.5A 17mohms 1.83nF | 当前型号 | N沟道， PowerTrench MOSFET N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STD35NF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 60V 35A 18mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FDD5680和STD35NF06T4的区别 |
| 型号： STD30NF06T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 60V 28A 20mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V | FDD5680和STD30NF06T4的区别 |