FQB9N08LTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB9N08LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 9.30 A
漏源极电阻 210 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 40W Tc
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
输入电容Ciss 280pF @25VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB9N08LTM引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQB9N08LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |