FQD6N50CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD6N50CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 4.50 A
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 61W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD6N50CTM引脚图与封装图
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在线购买FQD6N50CTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD6N50CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQD6N50CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD6N50CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 500V 4.5A 1.2ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQD6N50C 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A ID, 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD6N50CTM和FQD6N50C的区别 |