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FQP10N20CTSTU

FQP10N20CTSTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 200V 9.5A

N-Channel 200V 9.5A Tc 72W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3


立创商城:
N沟道 200V 9.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin3+Tab TO-220


FQP10N20CTSTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 9.50 A

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 72W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 72 W

耗散功率Max 72W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQP10N20CTSTU引脚图与封装图
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