FDP8880
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP8880中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 54.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0116 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 1.24 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 54.0 A
上升时间 107 ns
输入电容Ciss 1240pF @15VVds
额定功率Max 55 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP8880引脚图与封装图
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在线购买FDP8880
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP8880 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP8880
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP8880 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 54A 1.24nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： FDP6030L 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 48A 13mohms | 类似代替 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | FDP8880和FDP6030L的区别 |
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