FQI5N20LTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQI5N20LTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 4.50 A
极性 N-CH
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 325pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 52W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQI5N20LTU引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQI5N20LTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3Pin3+Tab I2PAK Rail | 搜索库存 |