FQB8P10TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB8P10TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -8.00 A
漏源极电阻 530 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB8P10TM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB8P10TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB8P10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB8P10TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB8P10TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 P-Channel 100V 8A 530mohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRF5210STRLPBF 品牌： 国际整流器 封装： TO-263 P-Channel -100V -40A 60mohms | 功能相似 | P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V | FQB8P10TM和IRF5210STRLPBF的区别 |
| 型号： IRF5210STRRPBF 品牌： 国际整流器 封装： TO-263-3 P-Channel -100V -40A | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FQB8P10TM和IRF5210STRRPBF的区别 |