FDD8453LZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD8453LZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 16.4A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 3515pF @20VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD8453LZ引脚图与封装图
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在线购买FDD8453LZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD8453LZ | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDD8453LZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD8453LZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 40V 16.4A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： TK50P04M1 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | DPAK N-CH 40V 50A | FDD8453LZ和TK50P04M1的区别 |