
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 1.7A
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQU2N90TU_AM002 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FQU2N90TU_AM002 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: IPAK-3 N-CH 900V 1.7A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 | |
型号: FQU2N90TU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-251-3 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms | 类似代替 | N沟道 900V 1.7A | FQU2N90TU_AM002和FQU2N90TU的区别 | |
型号: FQU2N90TU_WS 品牌: 飞兆/仙童 封装: IPAK-3 N-CH 900V 1.7A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail | FQU2N90TU_AM002和FQU2N90TU_WS的区别 |