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FQU2N90TU_AM002

FQU2N90TU_AM002

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQU2N90TU_AM002中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 1.7A

输入电容Ciss 500pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQU2N90TU_AM002引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQU2N90TU_AM002 Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail 搜索库存
替代型号FQU2N90TU_AM002
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQU2N90TU_AM002

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: IPAK-3 N-CH 900V 1.7A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin3+Tab IPAK Rail

当前型号

型号: FQU2N90TU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-251-3 N-Channel 900V 1.7A 7.2ohms

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