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FDS6576

FDS6576

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

The is a 2.5V specified P-channel MOSFET in a rugged gate version of Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage 2.5 to 12V. It can be used in load switch and battery protection.

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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
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43nC Typical low gate charge
FDS6576中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -11.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 4.04 nF

栅电荷 43.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 4044pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 79 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS6576引脚图与封装图
FDS6576引脚图

FDS6576引脚图

FDS6576封装焊盘图

FDS6576封装焊盘图

在线购买FDS6576
型号 制造商 描述 购买
FDS6576 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 搜索库存
替代型号FDS6576
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDS6576

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SOIC P-Channel -20V 11A 14mohms 4.04nF

当前型号

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

当前型号

型号： NTMS10P02R2G

品牌： 安森美

封装： SOIC P-Channel -20V 10A 14mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTMS10P02R2G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 10A, SOIC

FDS6576和NTMS10P02R2G的区别

型号： TPS1100D

品牌： 德州仪器

封装： SOIC P-Channel -15V -1.6A 180mohms

功能相似

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

FDS6576和TPS1100D的区别

型号： TPS1100DR

品牌： 德州仪器

封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A

功能相似

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

FDS6576和TPS1100DR的区别