FDD050N03B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD050N03B中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.2 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 65 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 2875pF @15VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD050N03B引脚图与封装图
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在线购买FDD050N03B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD050N03B | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDD050N03B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD050N03B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK N-CH 30V 90A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDD86102 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 8A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDD050N03B和FDD86102的区别 |
| 型号： FQD12P10TM_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 P-CH 100V 9.4A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | FDD050N03B和FQD12P10TM_F085的区别 |