
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -13.5 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 8.24 nF
栅电荷 86.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -250 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 13.5 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 8237pF @10VVds
额定功率Max 1.2 W
下降时间 140 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS4465 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4465. 晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS4465 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC P-Channel -20V 13.5A 8.5mohms 8.24nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4465. 晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mV | 当前型号 | |
型号: IRF7424TRPBF 品牌: 国际整流器 封装: SOIC P-Channel 30V -11A | 功能相似 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7424TRPBF 场效应管, MOSFET | FDS4465和IRF7424TRPBF的区别 | |
型号: SI4463CDY-T1-GE3 品牌: 威世 封装: SO-8 P-Channel 20V 18.6A 8mΩ 0.6Vto1.4V | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV | FDS4465和SI4463CDY-T1-GE3的区别 |