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FDS4465
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4465.  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mV

The is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage 1.8 to 8V. It is suitable for load switch and battery protection application.

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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High current and power handling capability
FDS4465中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -13.5 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 8.24 nF

栅电荷 86.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -250 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 13.5 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 8237pF @10VVds

额定功率Max 1.2 W

下降时间 140 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS4465引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS4465 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4465.  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mV 搜索库存
替代型号FDS4465
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS4465

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel -20V 13.5A 8.5mohms 8.24nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4465.  晶体管, MOSFET, P沟道, -13.5 A, -20 V, 8.5 mohm, -4.5 V, -600 mV

当前型号

型号: IRF7424TRPBF

品牌: 国际整流器

封装: SOIC P-Channel 30V -11A

功能相似

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7424TRPBF  场效应管, MOSFET

FDS4465和IRF7424TRPBF的区别

型号: SI4463CDY-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SO-8 P-Channel 20V 18.6A 8mΩ 0.6Vto1.4V

功能相似

晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV

FDS4465和SI4463CDY-T1-GE3的区别