FDMA86265P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMA86265P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 860 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.4 W
阈值电压 3.2 V
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 2.2 ns
输入电容Ciss 210pF @75VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 MicroFET-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FDMA86265P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMA86265P | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6Pin MLP EP T/R | 搜索库存 |