极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 16.4A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1235pF @13VVds
额定功率Max 3.7 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.7W Ta, 32.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDD6780A | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDD6780A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-CH 25V 16.4A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 | |
型号: FDD6780 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-CH 25V 16.5A | 类似代替 | N沟道 25V 16.5A 30A | FDD6780A和FDD6780的区别 |