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FQD17P06TM

FQD17P06TM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQD17P06TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -12.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD17P06TM引脚图与封装图
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在线购买FQD17P06TM
型号 制造商 描述 购买
FQD17P06TM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD17P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新 搜索库存
替代型号FQD17P06TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD17P06TM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 P-Channel 60V 12mA 135mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD17P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新

当前型号

型号: FQD17P06TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 P-Channel 60V 12A 135mohms 690pF

类似代替

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin2+Tab DPAK T/R

FQD17P06TM和FQD17P06TF的区别

型号: STD10P6F6

品牌: 意法半导体

封装: DPAK P-Channel

功能相似

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

FQD17P06TM和STD10P6F6的区别

型号: STD10PF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

FQD17P06TM和STD10PF06T4的区别