
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 mA
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQD17P06TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD17P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQD17P06TM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 P-Channel 60V 12mA 135mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD17P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新 | 当前型号 | |
型号: FQD17P06TF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 P-Channel 60V 12A 135mohms 690pF | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin2+Tab DPAK T/R | FQD17P06TM和FQD17P06TF的区别 | |
型号: STD10P6F6 品牌: 意法半导体 封装: DPAK P-Channel | 功能相似 | P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQD17P06TM和STD10P6F6的区别 | |
型号: STD10PF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V | FQD17P06TM和STD10PF06T4的区别 |