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FJP13009H2TU

FJP13009H2TU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a high voltage fast-switching NPN epitaxial planar Power Transistor. The FJP13009H2TU is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. Designed for high speed switching applications and offers excellent power dissipation.

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High voltage capability
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High switching speed
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700V Collector-base voltage
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9V Emitter-base voltage
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6A Base current
FJP13009H2TU中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 15 @5A, 5V

额定功率Max 100 W

直流电流增益hFE 8

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

FJP13009H2TU引脚图与封装图
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在线购买FJP13009H2TU
型号 制造商 描述 购买
FJP13009H2TU Fairchild 飞兆/仙童 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存
替代型号FJP13009H2TU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FJP13009H2TU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 400V 12A 100000mW

当前型号

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

当前型号

型号: FJP13009TU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 400V 12A 100000mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE

FJP13009H2TU和FJP13009TU的区别

型号: ST13009

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 900V 12A 100000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  ST13009  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 100 W, 12 A, 10 hFE

FJP13009H2TU和ST13009的区别