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FQPF13N06L

FQPF13N06L

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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4.8nC Typical low gate charge
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17pF Typical low Crss
FQPF13N06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 13.6 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.088 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 24 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 24 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 24W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.19 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQPF13N06L引脚图与封装图
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在线购买FQPF13N06L
型号 制造商 描述 购买
FQPF13N06L Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FQPF13N06L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQPF13N06L

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220F N-Channel 60V 10A 88mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: FQPF13N06

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 N-Channel 60V 9.4A 135mohms

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FQPF13N06L和FQPF13N06的区别

型号: STP16NF06FP

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封装: TO-220FP N-Channel 60V 8A 100mohms

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