FQP3N60C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP3N60C中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 565pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP3N60C引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP3N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP3N60C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 3A 3.4ohms | 当前型号 | 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP4NK60Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 4A 2Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP3N60C和STP4NK60Z的区别 |
| 型号： STP3NK60Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 2.4A 3.6Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP3N60C和STP3NK60Z的区别 |
| 型号： STP2N62K3 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP3N60C和STP2N62K3的区别 |