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FDMA8051L
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 40 V 10A Tc 2.4W Ta Surface Mount 6-MicroFET 2x2


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MicroFET EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MicroFET EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 6-MLP


FDMA8051L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.4 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 1.8 ns

输入电容Ciss 1260pF @20VVds

额定功率Max 2.4 W

下降时间 1.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MicroFET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 MicroFET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FDMA8051L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMA8051L Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存