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FQPF6N15
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQPF6N15中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 270pF @25VVds

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

FQPF6N15引脚图与封装图
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FQPF6N15 Fairchild 飞兆/仙童 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET 搜索库存