FQD2N60CTM_WS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD2N60CTM_WS中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 4.7 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 44W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 1.9A
输入电容Ciss 235pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
FQD2N60CTM_WS引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQD2N60CTM_WS | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |