锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDS8896
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor

N-Channel 30 V 15A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS8896 系列 N沟道 30 V 6 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8896  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 30 V, 0.0049 ohm, 10 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC


FDS8896中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 15.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.0049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.2 V

输入电容 2.52 nF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 2525pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8896引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS8896
型号 制造商 描述 购买
FDS8896 Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor 搜索库存
替代型号FDS8896
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS8896

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 30V 15A 6mohms 2.52nF

当前型号

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor

当前型号

型号: STS14N3LLH5

品牌: 意法半导体

封装: SOIC-8 N-Channel 7A

功能相似

N沟道30 V , 0.005 Ω , 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

FDS8896和STS14N3LLH5的区别

型号: SI4156DY-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOIC N-Channel 30V 24A

功能相似

VISHAY  SI4156DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V

FDS8896和SI4156DY-T1-GE3的区别