
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 19 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 990pF @20VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDD8451 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8451 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 40 V, 19 mohm, 10 V, 2.1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDD8451 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 40V 28A 30mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8451 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 40 V, 19 mohm, 10 V, 2.1 V | 当前型号 | |
型号: BUK6218-40C,118 品牌: 恩智浦 封装: DPAK N-Channel 40V 42A | 功能相似 | DPAK N-CH 40V 42A | FDD8451和BUK6218-40C,118的区别 |