FQU8P10TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU8P10TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -6.70 A
通道数 1
漏源极电阻 410 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 44W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FQU8P10TU引脚图与封装图
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在线购买FQU8P10TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU8P10TU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQU8P10TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU8P10TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 100V 6.6A 410mohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 |
| 型号： FQU8P10 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET | FQU8P10TU和FQU8P10的区别 |