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FDMB668P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench MOSFET的-20V , -6.1A , 35mohm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm

P-Channel 20 V 6.1A Ta 1.9W Ta Surface Mount 8-MLP, MicroFET 3x1.9


得捷:
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP


立创商城:
P沟道 20V 6.1A


贸泽:
MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6.1A 8-Pin MicroFET T/R


FDMB668P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 35 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 6.1A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2085pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.9 mm

高度 0.8 mm

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMB668P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDMB668P Fairchild 飞兆/仙童 P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench MOSFET的-20V , -6.1A , 35mohm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm 搜索库存