FDP2572
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP2572中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 29.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.77 nF
栅电荷 26.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 29.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP2572引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDP2572
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP2572 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP2572
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP2572 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 150V 29A 54mohms 1.77nF | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： IPP530N15N3GXKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 150V 21A | 功能相似 | Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3GXKSA1, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装 | FDP2572和IPP530N15N3GXKSA1的区别 |