FDS6986AS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6986AS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.90 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 550 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A, 7.90 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 720pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6986AS引脚图与封装图
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在线购买FDS6986AS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6986AS | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6986AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.9 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6986AS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6986AS 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 6.5A 20mohms 550pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6986AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.9 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6986S 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 6.5A 29mohms | 功能相似 | 双笔记本电源n沟道PowerTrench SyncFET⑩ Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ | FDS6986AS和FDS6986S的区别 |
| 型号： FDS6986S_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-CH 30V 6.5A 7.9A | 功能相似 | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET | FDS6986AS和FDS6986S_NL的区别 |