FDS4435A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4435A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -9.00 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 17 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -250 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2010pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4435A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS4435A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4435A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS4435A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4435A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V 9A 17mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 17 mohm, -10 V, -1.7 V | 当前型号 |
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| 型号： TPS1100DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 1.6A | 功能相似 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | FDS4435A和TPS1100DR的区别 |