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FQP3N30
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FQP3N30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 3.20 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.65 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 55 W

阈值电压 1.65 V

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 55 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 55W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP3N30引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQP3N30 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 300 V, 1.65 ohm, 10 V, 1.65 V 新 搜索库存