
额定电压DC 30.0 V
额定电流 73.0 A
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 70 W
输入电容 1.70 nF
栅电荷 34.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 73.0 A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 1700pF @15VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDD8876 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDD8876 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-CH 30V 73A 1.7nF | 当前型号 | N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | 当前型号 | |
型号: ISL9N308AD3ST 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 N-Channel 30V 50A 8mΩ | 类似代替 | N沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V , 50A , 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз | FDD8876和ISL9N308AD3ST的区别 | |
型号: STD60N3LH5 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 30V 24A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V | FDD8876和STD60N3LH5的区别 | |
型号: STD100N3LF3 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-CH 30V 80A | 功能相似 | N沟道30 V , 0.0045 Ω , 80 A, DPAK平面的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET | FDD8876和STD100N3LF3的区别 |