FQD2N80TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD2N80TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.80 A
针脚数 3
漏源极电阻 4.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 5 V
输入电容 425 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.80 mA
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD2N80TM引脚图与封装图
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在线购买FQD2N80TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD2N80TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FQD2N80TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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