FQP4N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP4N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 3.60 A
漏源极电阻 1.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 52 W
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQP4N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP4N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP4N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 250V 3.6A 1.75ohms | 当前型号 | 250V沟道MOSFET 250V Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP6NB25 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | N沟道250V - 0.9ohm - 6A TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 6A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET | FQP4N25和STP6NB25的区别 |