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FQU17P06TU

FQU17P06TU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V

The FQU17P06 is a P-channel enhancement mode power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.

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Low gate charge
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100% Avalanche tested
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Low crss typical 80pF
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±25V Gate-source voltage
FQU17P06TU中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 37.0V max

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -12.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 135 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 44 W

输入电容 690 pF

栅电荷 21.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids -12.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.8 mm

宽度 2.5 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQU17P06TU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQU17P06TU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 搜索库存
替代型号FQU17P06TU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQU17P06TU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-251 P-Channel -60V -12A 135mohms 690pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V

当前型号

型号: IRFI9Z34GPBF

品牌: 威世

封装: TO-220FP P-Channel 60V 12A

功能相似

VISHAY  IRFI9Z34GPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 140 mohm, -10 V, -4 V

FQU17P06TU和IRFI9Z34GPBF的区别

型号: STD10PF06-1

品牌: 意法半导体

封装: TO-251 P-Channel 60V 10A 180mΩ

功能相似

P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET

FQU17P06TU和STD10PF06-1的区别

型号: FQU11P06

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-251AA P-Channel 60V 9.4A

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V

FQU17P06TU和FQU11P06的区别