
电源电压DC 37.0V max
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -12.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 135 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 44 W
输入电容 690 pF
栅电荷 21.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQU17P06TU | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU17P06TU 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQU17P06TU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-251 P-Channel -60V -12A 135mohms 690pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU17P06TU 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V | 当前型号 | |
型号: IRFI9Z34GPBF 品牌: 威世 封装: TO-220FP P-Channel 60V 12A | 功能相似 | VISHAY IRFI9Z34GPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 140 mohm, -10 V, -4 V | FQU17P06TU和IRFI9Z34GPBF的区别 | |
型号: STD10PF06-1 品牌: 意法半导体 封装: TO-251 P-Channel 60V 10A 180mΩ | 功能相似 | P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET | FQU17P06TU和STD10PF06-1的区别 | |
型号: FQU11P06 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-251AA P-Channel 60V 9.4A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU11P06 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 V | FQU17P06TU和FQU11P06的区别 |